Розрахунок концентрації легування n⁺ шару і розподіл домішки по глибині в планарних Si сонячних елементах

Навчальний заклад: Комунальний заклад «Науковий ліцей імені Анатолія Лигуна» Кам’янської міської ради Дніпропетровської області

Автор: Сім’яник Анна Сергіївна

Відділення: Інженерія та матеріалознавство

Секція: Енергетика та електротехніка

Область: Дніпропетровська

Опис:

У даній науково-дослідній роботі теоретично розраховані параметри легування n⁺ шару в фотоелектричних перетворювачах з комбінованим p-n переходом для реалізації концепції «розумне вікно». Монтаж фотоелектричного перетворювача здійснюється по периметру оптичних вікон в торці площини вікна. Вікно є багатошаровою конструкцією з оптично прозорими хвильоводами між листами вікна. Оптичний хвилевод перенаправляє частину сонячного світла в фотоелектричні перетворювачі з високо легованим верхнім шаром. Тому необхідно розробляти способи для оптимізації n⁺ шару комбінованого p-n переходу. У цьому контексті важливим є аналіз розподілу домішок фосфору у кремнію, оскільки він безпосередньо впливає на електрофізичні властивості перетворювача. Теоретична частина включає аналіз літератури з проблематики дослідження. В практичній частині отримано криву розподілу поверхневої густини атомів домішки по глибині дифузійного шару залежно від температури і часу. Оцінено градієнт концентрації у напівпровіднику на стадії розгонки. Розраховано глибину p-n переходу з врахуванням температури і часу експерименту. Побудовано ВАХ досліджуваних структур та розраховано коефіцієнт заповнення, послідовний опір та коефіцієнт корисної дії перетворювачів. Результати дослідження мають практичне значення і можуть бути використані для розробки фотоелектричних перетворювачів для концепту «розумне вікно».

- -